韩国光子技术研究院在Micro LED发光效率方面取得新进展

近日，据韩国媒体报道，韩国光子技术研究院（KOPTI）宣布成功研发出高效精细Micro LED，Micro LED内部量子效率均可保持90%的范围内，并且不受芯片尺寸大小和不同的注入电流密度的影响。

20μm Micro LED电流-电压曲线和发射图像（图片来源：KOPTI）

这款Micro LED由光学半导体显示研究部的Jong hyup Baek博士团队、Woong ryeol Ryu博士带领的ZOGAN Semi团队和汉阳大学纳米光电子学系的Jong in Shim教授共同开发打造，产品解决了Micro LED因芯片尺寸缩小以及注入电流增加而导致的发光效率迅速下降的问题。

据悉，20μm尺寸以下的Micro LED不仅发光效率迅速下降，而且在驱动显示面板所需的低电流范围（0.01A/cm²～1A/cm²）内，Micro LED非发光复合损耗显着增加。目前，业界通过在芯片侧面导入钝化工艺可一定程度缓解上述问题，但并不能从根本上解决。

20μm、10μm蓝光Micro LED的内部量子效率 (IQE) 根据电流密度的变化

KOPTI介绍，本次研究团队通过新结构减轻了外延层中的应力，提高了发光效率，并抑制了Micro LED在任何外部电场或结构下的物理应力变化。因此，即使Micro LED尺寸减小，新结构可依旧显著降低表面非发光复合损耗并保持了高发光效率，且无需采用钝化工艺。

目前，团队已成功验证高效精细Micro LED在蓝光，以及氮化镓绿光、红光器件上的应用，未来有望通过该技术生产全彩氮化镓Micro LED显示器。